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Si4174DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
V GS = 10 thru 4 V
V GS = 3 V
8 .0
6.4
4. 8
20
10
0
3.2
1.6
0.0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.015
0.013
0.011
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1300
1040
7 8 0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.009
0.007
V GS = 10 V
520
260
C oss
C rss
0.005
0
0
10
20
30
40
50
0
2.4
4. 8
7.2
9.6
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
8
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 10 A
V GS = 10 V
6
V DS = 20 V
1.4
4
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.2
V GS = 4.5 V
1.0
2
0
0. 8
0.6
0.0
3.7
7.4
11.1
14. 8
1 8 .5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68998
S-82773-Rev. A, 17-Nov-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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